De la família de corbes característiques d'un BJT, les de sortida són les més utilitzades a l'hora de dissenyar circuits on intervé aquests component.  A la fig. 1 s'indiquen aquestes corbes:  IC(VCE)  per a diferents valors de  IB .

 

fig. 1

A la  fig. 1  s’indica el circuit.

Es tracta d’un pont rectificador seguit d’un condensador per allisar la tensió, d’un díode zener per a estabilitzar la sortida i una etapa de potència amb un transistor. El valor de la tensió que proporciona la font dependrà del zener utilitzat.

            Plantejament:

            Es disposa d'uns auriculars, la impedància dels quals val  64 Ω  resistius, i una font d'alimentació de  1,5 V -per exemple una pila d'aquesta tensió.  Es pretén fer una etapa amplificadora per a aquests auriculars amb un BJT en emissor comú.  S'escull aquesta configuració a fi d'obtenir una impedància d'entrada alta i un guany de tensió moderat.

            Resolució:

          Al tractar-se  d'uns  auriculars,  la potència d'àudio que necessitem és molt minsa  -veure pràctica:  Auriculars- per la qual cosa la potència a dissipar pel BJT serà molt petita i es podrà:  1) emprar un transistor de petit senyal i  2) un circuit molt simple on no calgui tenir en compte l'estabilitat tèrmica ja que el BJT pràcticament no tindrà increment de temperatura. A la fig.1 s'indica el circuit més simple que es pot utilitzar.

            A la fig. 1 s'indica l'esquemàtic d'una etapa amplificadora amb un BJT en E.C. on s'empra l'anomenat circuit d'autopolarització, el qual està format per una resistència   RE  en sèrie amb l'emissor i un divisor de tensió en el circuit de la base format per les resistències  R1   i   R2 .  Com es veurà, aquest circuit proporciona estabilitat del punt de treball   Q    del  BJT en front a canvis de temperatura i variacions dels paràmetres d'aquest. 

fig. 1

           S'utilitzarà un JFET canal N, per exemple el  BF245B.  La identificació dels seus terminals s'indica a la fig. 1.

          Per poder representar les característiques   ID(VGS)    i    ID(VDS)   per a diferents valors de   VGS   en la zona de saturació, que són les que ens interessen en un circuit amplificador, la fórmula:

ens diu que només cal conèixer els paràmetres    IDss    i    VGSoff    del dispositiu.  A fi que les diferències entre les previsions i els resultats obtinguts siguin mínimes, prèviament es determinaran experimentalment aquests valors corresponents al JFET que s'utilitzi.  A la fig.2 s'indica el circuit per determinar   IDss , on es veu que es fa   VGS = 0 . 

            Abans de fer aquesta pràctica cal haver fet, o almenys llegit, l'anterior pràctica  Corbes característiques de sortida d'un BJT en emissor comú (E.C.).

            En aquesta pràctica determinarem les característiques abans esmentades corresponents a dos  BJT  NPN  2N3904 en connexió Darlington. Observació : Encara que en aquesta pràctica s'empren dos BJTs iguals, en general aquests poden ser diferents.

            Recordatori:

            A fi d'obtenir, com es veurà, uns guanys de corrent elevats i una impedància d'entrada elevada, una manera de aconseguir-ho és emprant la connexió Darlington de dos BJTs . A la fig. 1 s'indica dita connexió.

fig. 1

           A la  fig. 1  s’indica el circuit.

           L'esquemàtic s'indica a la fig. 1.

          L'esquemàtic s'indica a la fig. 1.

EU e-Privacy Directive

This website uses cookies to manage authentication, navigation, and other functions. By using our website, you agree that we can place these types of cookies on your device.

View e-Privacy Directive Documents

You have declined cookies. This decision can be reversed.

You have allowed cookies to be placed on your computer. This decision can be reversed.